SUP85N10-10-GE3

Vishay Siliconix SUP85N10-10-GE3

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  • SUP85N10-10-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SUP85N10-10-GE3 Scheda dati
  • TO-220-3
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4639
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
SUP85N10-10-GE3
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Package
Cut Tape (CT)
Series
TrenchFET®
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
3.75W (Ta), 250W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6550 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Package_case
TO-220-3

SUP85N10-10-GE3 Garanzie

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Indice del prodotto
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