Rohm Semiconductor SCT2750NYTB
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- SCT2750NYTB
- Rohm Semiconductor
- SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SCT2750NYTB Scheda dati
- TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 3822
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| Part Number SCT2750NYTB |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Rohm Semiconductor |
| Description SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268 |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series - |
| Operating Temperature 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Supplier Device Package TO-268 |
| Technology SiCFET (Silicon Carbide) |
| Power Dissipation (Max) 57W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.9A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 975mOhm @ 1.7A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 630µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 275 pF @ 800 V |
| Vgs (Max) +22V, -6V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V |
| Package_case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
SCT2750NYTB Garanzie
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