SISA96DN-T1-GE3

Vishay Siliconix SISA96DN-T1-GE3

Name: SISA96DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA96DN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)
Author: Jinftry

L'immagine è solo di riferimento, fare riferimento alle specifiche del prodotto

Numero di parte： SISA96DN-T1-GE3
Produttore： Vishay Siliconix
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Categoria： Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda dati： SISA96DN-T1-GE3 Scheda dati
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Pacchetto/custodia： PowerPAK® 1212-8
Pacchetto： Jinftry-Reel®
RoHS： Lead free / RoHS Compliant
Quantità di magazzino： 14771
Risorse stock：Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
Garanzia di qualità：1 anno di garanzia della qualità 》
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SISA96DN-T1-GE3 Specifiche

Part Number
SISA96DN-T1-GE3

Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Manufacturer
Vishay Siliconix

Description
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

Package
Jinftry-Reel®

Series
TrenchFET® Gen IV

Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type
Surface Mount

Package / Case
PowerPAK® 1212-8

Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8

Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Power Dissipation (Max)
26.5W (Tc)

FET Type
N-Channel

FET Feature
-

Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1385 pF @ 15 V

Vgs (Max)
+20V, -16V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

Package_case
PowerPAK® 1212-8

Product Introduction
Datasheet
Esempio di richiesta
Imballaggio
FAQ

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jinfftry-guarantee2 Garanzia di servizio
Il nostro servizio garantisce la soddisfazione del cliente.
Abbiamo un team di vendita esperto e un team di supporto tecnico per soddisfare tutte le esigenze dei clienti.

jinfftry-guarantee3 Garanzia di qualità
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
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