Vishay Siliconix SI8481DB-T1-E1
- SI8481DB-T1-E1
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI8481DB-T1-E1 Scheda dati
- 4-UFBGA
- Tape & Reel (TR)
- Lead free / RoHS Compliant
- 4774
- Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
- 1 anno di garanzia della qualità 》
- Clicca per ottenere le tariffe
Part Number SI8481DB-T1-E1 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Vishay Siliconix |
Description MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT |
Package Tape & Reel (TR) |
Series TrenchFET® Gen III |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 4-UFBGA |
Supplier Device Package 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 2.8W (Tc) |
FET Type P-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.7A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 4.5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 10 V |
Vgs (Max) ±8V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V |
Package_case 4-UFBGA |
SI8481DB-T1-E1 Garanzie
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