SIR496DP-T1-GE3

Vishay Siliconix SIR496DP-T1-GE3

Name: SIR496DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR496DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)
Author: Jinftry

L'immagine è solo di riferimento, fare riferimento alle specifiche del prodotto

Numero di parte： SIR496DP-T1-GE3
Produttore： Vishay Siliconix
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Categoria： Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda dati： SIR496DP-T1-GE3 Scheda dati
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Pacchetto/custodia： PowerPAK® SO-8
Pacchetto： Cut Tape (CT)
RoHS： Lead free / RoHS Compliant
Quantità di magazzino： 4800
Risorse stock：Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
Garanzia di qualità：1 anno di garanzia della qualità 》
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SIR496DP-T1-GE3 Specifiche

Part Number
SIR496DP-T1-GE3

Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Manufacturer
Vishay Siliconix

Description
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Package
Cut Tape (CT)

Series
TrenchFET®

Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type
Surface Mount

Package / Case
PowerPAK® SO-8

Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8

Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Power Dissipation (Max)
5W (Ta), 27.7W (Tc)

FET Type
N-Channel

FET Feature
-

Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1570 pF @ 10 V

Vgs (Max)
±20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

Package_case
PowerPAK® SO-8

Product Introduction
Datasheet
Esempio di richiesta
Imballaggio
FAQ

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