SI4170DY-T1-GE3

Vishay Siliconix SI4170DY-T1-GE3

Name: SI4170DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4170DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)
Author: Jinftry

L'immagine è solo di riferimento, fare riferimento alle specifiche del prodotto

Numero di parte： SI4170DY-T1-GE3
Produttore： Vishay Siliconix
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Categoria： Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda dati： SI4170DY-T1-GE3 Scheda dati
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Pacchetto/custodia： 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
Pacchetto： Cut Tape (CT)
RoHS： Lead free / RoHS Compliant
Quantità di magazzino： 2230
Risorse stock：Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
Garanzia di qualità：1 anno di garanzia della qualità 》
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SI4170DY-T1-GE3 Specifiche

Part Number
SI4170DY-T1-GE3

Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Manufacturer
Vishay Siliconix

Description
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO

Package
Cut Tape (CT)

Series
TrenchFET®

Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type
Surface Mount

Package / Case
8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)

Supplier Device Package
8-SOIC

Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 6W (Tc)

FET Type
N-Channel

FET Feature
-

Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4355 pF @ 15 V

Vgs (Max)
±20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

Package_case
8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)

Product Introduction
Datasheet
Esempio di richiesta
Imballaggio
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jinfftry-guarantee2 Garanzia di servizio
Il nostro servizio garantisce la soddisfazione del cliente.
Abbiamo un team di vendita esperto e un team di supporto tecnico per soddisfare tutte le esigenze dei clienti.

jinfftry-guarantee3 Garanzia di qualità
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