Vishay Siliconix SI3442BDV-T1-GE3
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- SI3442BDV-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI3442BDV-T1-GE3 Scheda dati
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 17173
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| Numero di parte SI3442BDV-T1-GE3 |
| Categoria Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Produttore Vishay Siliconix |
| Descrizione MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP |
| Pacchetto -Reel® |
| Serie TrenchFET® |
| Temperatura operativa -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio Surface Mount |
| Pacchetto/custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo del fornitore 6-TSOP |
| Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) |
| Dissipazione di potenza (massima) 860mW (Ta) |
| Tipo FET N-Channel |
| Funzionalità FET - |
| Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) 20 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C 3A (Ta) |
| Rds attivo (max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs(esimo) (Max) @Id 1.8V @ 250µA |
| Carica gate (Qg) (max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 10 V |
| Vg (massimo) ±12V |
| Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V |
SI3442BDV-T1-GE3 Garanzie
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