Vishay Siliconix SIA439EDJ-T1-GE3
- SIA439EDJ-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIA439EDJ-T1-GE3 Scheda dati
- PowerPAK® SC-70-6
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 21660
- Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
- 1 anno di garanzia della qualità 》
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| Numero di parte SIA439EDJ-T1-GE3 |
| Categoria Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Produttore Vishay Siliconix |
| Descrizione MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6 |
| Pacchetto -Reel® |
| Serie TrenchFET® |
| Temperatura operativa -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio Surface Mount |
| Pacchetto/custodia PowerPAK® SC-70-6 |
| Pacchetto dispositivo del fornitore PowerPAK® SC-70-6 |
| Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) |
| Dissipazione di potenza (massima) 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Tipo FET P-Channel |
| Funzionalità FET - |
| Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) 20 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C 28A (Tc) |
| Rds attivo (max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs(esimo) (Max) @Id 1V @ 250µA |
| Carica gate (Qg) (max) @ Vgs 69 nC @ 8 V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 10 V |
| Vg (massimo) ±8V |
| Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V |
SIA439EDJ-T1-GE3 Garanzie



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