RN4987FE,LF(CB

Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE,LF(CB

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  • RN4987FE,LF(CB
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
  • RN4987FE,LF(CB Scheda dati
  • SOT-563, SOT-666
  • SOT-563, SOT-666
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 18208
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
RN4987FE,LF(CB
Category
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Manufacturer
Toshiba Semiconductor and Storage
Description
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Package
SOT-563, SOT-666
Series
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6
Power - Max
100mW
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Package_case
SOT-563, SOT-666

RN4987FE,LF(CB Garanzie

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Indice del prodotto
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