VS-GB200TH120N

Vishay Semiconductor - Diodes Division VS-GB200TH120N

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  • VS-GB200TH120N
  • Vishay Semiconductor - Diodes Division
  • IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • VS-GB200TH120N Scheda dati
  • Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 24613
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
VS-GB200TH120N
Category
Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer
Vishay Semiconductor - Diodes Division
Description
IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK
Package
Bulk
Series
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package
Double INT-A-PAK
Power - Max
1136 W
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
360 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.35V @ 15V, 200A
Input Capacitance (Cies) @ Vce
14.9 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Package_case
Double INT-A-PAK (3 + 4)

VS-GB200TH120N Garanzie

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Indice del prodotto
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