Transphorm TP65H035G4WSQA
- TP65H035G4WSQA
- Transphorm
- 650 V 46.5 GAN FET
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TP65H035G4WSQA Scheda dati
- TO-247-3
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 4113
- Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
- 1 anno di garanzia della qualità 》
- Clicca per ottenere le tariffe
Part Number TP65H035G4WSQA |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Transphorm |
Description 650 V 46.5 GAN FET |
Package Tube |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-247-3 |
Supplier Device Package TO-247-3 |
Technology GaNFET (Gallium Nitride) |
Power Dissipation (Max) 187W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47.2A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 30A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-247-3 |
TP65H035G4WSQA Garanzie
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