Vishay Siliconix SUD35N10-26P-T4GE3
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- SUD35N10-26P-T4GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 35A TO252
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SUD35N10-26P-T4GE3 Scheda dati
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 16606
- Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
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| Part Number SUD35N10-26P-T4GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N-CH 100V 35A TO252 |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series TrenchFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package TO-252AA |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 8.3W (Ta), 83W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 12 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V |
| Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
SUD35N10-26P-T4GE3 Garanzie
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