Vishay Siliconix SUD09P10-195-GE3
- SUD09P10-195-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SUD09P10-195-GE3 Scheda dati
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Cut Tape (CT)
- Lead free / RoHS Compliant
- 4589
- Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
- 1 anno di garanzia della qualità 》
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Part Number SUD09P10-195-GE3 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Vishay Siliconix |
Description MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252 |
Package Cut Tape (CT) |
Series TrenchFET® |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package TO-252AA |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) |
FET Type P-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34.8 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1055 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
SUD09P10-195-GE3 Garanzie
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