Vishay Siliconix SIB452DK-T1-GE3
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- SIB452DK-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIB452DK-T1-GE3 Scheda dati
- PowerPAK® SC-75-6
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1939
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| Part Number SIB452DK-T1-GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75 |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series TrenchFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case PowerPAK® SC-75-6 |
| Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 190 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 135 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±16V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V |
| Package_case PowerPAK® SC-75-6 |
SIB452DK-T1-GE3 Garanzie
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