SI7852DP-T1-E3

Vishay Siliconix SI7852DP-T1-E3

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  • SI7852DP-T1-E3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SI7852DP-T1-E3 Scheda dati
  • PowerPAK® SO-8
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2971
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
SI7852DP-T1-E3
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Package
Cut Tape (CT)
Series
TrenchFET®
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
1.9W (Ta)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Package_case
PowerPAK® SO-8

SI7852DP-T1-E3 Garanzie

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Indice del prodotto
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