SI7772DP-T1-GE3

Vishay Siliconix SI7772DP-T1-GE3

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  • SI7772DP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SI7772DP-T1-GE3 Scheda dati
  • PowerPAK® SO-8
  • Jinftry-Reel®
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 20495
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
SI7772DP-T1-GE3
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
Package
Jinftry-Reel®
Series
SkyFET®, TrenchFET®
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1084 pF @ 15 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Package_case
PowerPAK® SO-8

SI7772DP-T1-GE3 Garanzie

jinfftry-guarantee1

jinfftry-guarantee2

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Indice del prodotto
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