SI2334DS-T1-GE3

Vishay Siliconix SI2334DS-T1-GE3

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  • SI2334DS-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SI2334DS-T1-GE3 Scheda dati
  • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 19179
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
SI2334DS-T1-GE3
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
Package
Tape & Reel (TR)
Series
TrenchFET®
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
634 pF @ 15 V
Vgs (Max)
±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Package_case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2334DS-T1-GE3 Garanzie

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Indice del prodotto
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