PHKD6N02LT,518

Nexperia USA Inc. PHKD6N02LT,518

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  • PHKD6N02LT,518
  • Nexperia USA Inc.
  • MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • PHKD6N02LT,518 Scheda dati
  • 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 29132
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Numero di parte
PHKD6N02LT,518
Categoria
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Produttore
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
Pacchetto
Cut Tape (CT)
Serie
TrenchMOS™
Temperatura operativa
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Potenza-Max
4.17W
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C
10.9A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 3A, 5V
Vgs(esimo) (Max) @Id
1.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
15.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 10V

PHKD6N02LT,518 Garanzie

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Nexperia USA Inc. is a company focused on semiconductor development and is the branch of Nexperia in the United States. Nexperia's headquarters are located in Nijmegen, Netherlands. The company's product line mainly includes...
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