NXPSC126506Q

WeEn Semiconductors NXPSC126506Q

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  • NXPSC126506Q
  • WeEn Semiconductors
  • SILICON CARBIDE POWER DIODE
  • Diodes - Rectifiers - Single
  • NXPSC126506Q Scheda dati
  • TO-220-2
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2584
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
NXPSC126506Q
Category
Diodes - Rectifiers - Single
Manufacturer
WeEn Semiconductors
Description
SILICON CARBIDE POWER DIODE
Package
Tube
Series
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220AC
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Current - Average Rectified (Io)
12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
80 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F
380pF @ 1V, 1MHz
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Operating Temperature - Junction
175°C (Max)
Package_case
TO-220-2

NXPSC126506Q Garanzie

jinfftry-guarantee1

jinfftry-guarantee2

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Indice del prodotto
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