ON Semiconductor NVB190N65S3
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- NVB190N65S3
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NVB190N65S3 Scheda dati
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 2600
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| Part Number NVB190N65S3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer ON Semiconductor |
| Description MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3 |
| Package Bulk |
| Series Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 162W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 430µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1605 pF @ 400 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
NVB190N65S3 Garanzie
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