IXTA3N120HV

IXYS IXTA3N120HV

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  • IXTA3N120HV
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXTA3N120HV Scheda dati
  • TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 20798
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
IXTA3N120HV
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Package
Tube
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
TO-263HV
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTA3N120HV Garanzie

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Indice del prodotto
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