IXYS IXTA2R4N120P
- IXTA2R4N120P
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IXTA2R4N120P Scheda dati
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 772
- Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
- 1 anno di garanzia della qualità 》
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Part Number IXTA2R4N120P |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer IXYS |
Description MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263 |
Package Tube |
Series Polar™ |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package TO-263AA |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 125W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1207 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IXTA2R4N120P Garanzie
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