IXFX30N110P

IXYS IXFX30N110P

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  • IXFX30N110P
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247-3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFX30N110P Scheda dati
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 19977
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
IXFX30N110P
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247-3
Package
Tube
Series
HiPerFET™, PolarP2™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PLUS247™-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
960W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13600 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-247-3

IXFX30N110P Garanzie

jinfftry-guarantee1

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Indice del prodotto
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