IXFP4N100Q

IXYS IXFP4N100Q

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  • IXFP4N100Q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFP4N100Q Scheda dati
  • TO-220-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1950
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
IXFP4N100Q
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Package
Tube
Series
HiPerFET™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-220-3

IXFP4N100Q Garanzie

jinfftry-guarantee1

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Indice del prodotto
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