IRFM120ATF

Fairchild Semiconductor IRFM120ATF

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  • IRFM120ATF
  • Fairchild Semiconductor
  • POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IRFM120ATF Scheda dati
  • TO-261-4, TO-261AA
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 16809
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
IRFM120ATF
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
Description
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Package
Bulk
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
SOT-223-4
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.4W (Ta)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
480 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-261-4, TO-261AA

IRFM120ATF Garanzie

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Indice del prodotto
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