Infineon Technologies IPD068N10N3GATMA1
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- IPD068N10N3GATMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPD068N10N3GATMA1 Scheda dati
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Jinftry-Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 29581
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| Part Number IPD068N10N3GATMA1 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 |
| Package Jinftry-Reel® |
| Series OptiMOS™ |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package PG-TO252-3 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 150W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4910 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V |
| Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IPD068N10N3GATMA1 Garanzie
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