GA10JT12-263

GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263

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  • GA10JT12-263
  • GeneSiC Semiconductor
  • TRANS SJT 1200V 25A
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • GA10JT12-263 Scheda dati
  • -
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3301
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
GA10JT12-263
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
GeneSiC Semiconductor
Description
TRANS SJT 1200V 25A
Package
Tube
Series
-
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
-
Supplier Device Package
-
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Power Dissipation (Max)
170W (Tc)
FET Type
-
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 10A
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1403 pF @ 800 V
Vgs (Max)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Package_case
-

GA10JT12-263 Garanzie

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Indice del prodotto
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