FZ2400R12HE4B9HDSA2

Infineon Technologies FZ2400R12HE4B9HDSA2

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  • FZ2400R12HE4B9HDSA2
  • Infineon Technologies
  • IGBT MODULE
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • FZ2400R12HE4B9HDSA2 Scheda dati
  • -
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 26470
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
FZ2400R12HE4B9HDSA2
Category
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
IGBT MODULE
Package
Bulk
Series
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
-
Package / Case
-
Supplier Device Package
-
Power - Max
-
Transistor Type
-
Current - Collector (Ic) (Max)
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Frequency - Transition
-
Package_case
-

FZ2400R12HE4B9HDSA2 Garanzie

jinfftry-guarantee1

jinfftry-guarantee2

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Indice del prodotto
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