ON Semiconductor FQI4N80TU
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- FQI4N80TU
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQI4N80TU Scheda dati
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 1588
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| Part Number FQI4N80TU |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer ON Semiconductor |
| Description MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK |
| Package Tube |
| Series QFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Supplier Device Package I2PAK (TO-262) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.95A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
FQI4N80TU Garanzie
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