Diodes Incorporated DMN10H120SFG-7
- DMN10H120SFG-7
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- DMN10H120SFG-7 Scheda dati
- 8-PowerVDFN
- Tape & Reel (TR)
- Lead free / RoHS Compliant
- 2736
- Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
- 1 anno di garanzia della qualità 》
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Part Number DMN10H120SFG-7 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Diodes Incorporated |
Description MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333 |
Package Tape & Reel (TR) |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 8-PowerVDFN |
Supplier Device Package PowerDI3333-8 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 1W (Ta) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.6 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 549 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V |
Package_case 8-PowerVDFN |
DMN10H120SFG-7 Garanzie
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