BUK6213-30C,118-NEX

Nexperia USA Inc. BUK6213-30C,118-NEX

Name: BUK6213-30C,118-NEX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: BUK6213-30C-118-NEX
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)
Author: Jinftry

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Numero di parte： BUK6213-30C,118-NEX
Produttore： Nexperia USA Inc.
Descrizione:PFET, 47A I(D), 30V, 0.029OHM, 1
Categoria： Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda dati： BUK6213-30C,118-NEX Scheda dati
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Pacchetto： Bulk
RoHS： Lead free / RoHS Compliant
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BUK6213-30C,118-NEX Specifiche

Part Number
BUK6213-30C,118-NEX

Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Manufacturer
Nexperia USA Inc.

Description
PFET, 47A I(D), 30V, 0.029OHM, 1

Package
Bulk

Series
-

Operating Temperature
-

Mounting Type
-

Package / Case
-

Supplier Device Package
-

Technology
-

Power Dissipation (Max)
-

FET Type
-

FET Feature
-

Drain to Source Voltage (Vdss)
-

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-

Rds On (Max) @ Id, Vgs
-

Vgs(th) (Max) @ Id
-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-

Vgs (Max)
-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-

Package_case
-

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Imballaggio
FAQ

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Indice del prodotto

Quantity: Confermare

Nexperia USA Inc. BUK6213-30C,118-NEX

BUK6213-30C,118-NEX Specifiche

BUK6213-30C,118-NEX Product Introduction：

SiC helps the application of power semiconductor devices to increase junction temperature, which will greatly change the design pattern of power systems.

The most complete introduction to IGBT modules in 2023

1n5819 Diode (Schottky Rectifier) Pinout, Alternatives, Specifications, Datasheet, Price and Applications

NEXPERIA uses Power-SO8 packaged P-channel MOSFET for the first time

BUK6213-30C,118-NEX Sample Request

Products Packaging Flow Chart

Packing Details

FAQ:

BUK6213-30C,118-NEX

BUK6213-30C,118-NEX Garanzie

Vantaggio competitivo

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BUK6213-30C,118-NEX

BUK6213-30C,118-NEX
Part Number	BUK6213-30C,118-NEX
Category	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer	Nexperia USA Inc.
Description	PFET, 47A I(D), 30V, 0.029OHM, 1
Package	Bulk
Series	-
Operating Temperature	-
Mounting Type	-
Package / Case	-
Supplier Device Package	-
Technology	-
Power Dissipation (Max)	-
FET Type	-
FET Feature	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Package_case	-

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BUK6213-30C,118-NEX Product Introduction：

SiC helps the application of power semiconductor devices to increase junction temperature, which will greatly change the design pattern of power systems.

The most complete introduction to IGBT modules in 2023

1n5819 Diode (Schottky Rectifier) Pinout, Alternatives, Specifications, Datasheet, Price and Applications

NEXPERIA uses Power-SO8 packaged P-channel MOSFET for the first time

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