BSC050NE2LSATMA1

Infineon Technologies BSC050NE2LSATMA1

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  • BSC050NE2LSATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • BSC050NE2LSATMA1 Scheda dati
  • 8-PowerTDFN
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3697
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Numero di parte
BSC050NE2LSATMA1
Categoria
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produttore
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Pacchetto
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Temperatura operativa
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TDSON-8-5
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (massima)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C
39A (Ta), 58A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @Id
2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 12 V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

BSC050NE2LSATMA1 Garanzie

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