Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309(Q)
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- 2SK3309(Q)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 2SK3309(Q) Scheda dati
- TO-220-3, Short Tab
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 851
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| Part Number 2SK3309(Q) |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series - |
| Operating Temperature 150°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-220-3, Short Tab |
| Supplier Device Package TO-220FL |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 65W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-220-3, Short Tab |
2SK3309(Q) Garanzie
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