1N5809US

Microsemi Corporation 1N5809US

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  • 1N5809US
  • Microsemi Corporation
  • DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
  • Diodes - Rectifiers - Single
  • 1N5809US Scheda dati
  • SQ-MELF, B
  • SQ-MELF, B
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2151
  • Inventario spot/distributori autorizzati/inventario eccedente di fabbrica
  • 1 anno di garanzia della qualità 》
  • Clicca per ottenere le tariffe
Part Number
1N5809US
Category
Diodes - Rectifiers - Single
Manufacturer
Microsemi Corporation
Description
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Package
SQ-MELF, B
Series
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SQ-MELF, B
Supplier Device Package
B, SQ-MELF
Diode Type
Standard
Current - Average Rectified (Io)
3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
875mV @ 4A
Current - Reverse Leakage @ Vr
5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
100V
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
30ns
Operating Temperature - Junction
-65°C ~ 175°C
Package_case
SQ-MELF, B

1N5809US Garanzie

jinfftry-guarantee1

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Indice del prodotto
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